Отзыв научного руководителя (Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS)
Описание файла
Файл "Отзыв научного руководителя" внутри архива находится в папке "Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS". PDF-файл из архива "Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ОТЗЫВнаучного руководителяо работе аспиранта кафедры полупроводниковой электроникинационального исследовательского университета «МЭИ»Канахина Алексея Алексеевича,представившего диссертацию по теме:«ПРИМЕНЕНИЕ МОДЕЛИ АНТИПЕРЕСЕКАЮЩИХСЯ ЗОН ВСЛУЧАЕ ВЫСОКОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КИСЛОРОДОМ CdS»на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук поспециальности: 01.04.10 – Физика полупроводников.Канахин А.А. пришел работать на кафедру из лекционной аудиториина 3 курсе 2008/9 уч. г.
и сразу включился в работу в составе нашейисследовательской группы. Проявлял большой интерес к научной работе.Летом 2009г года ему было доверено выступить с докладом по совместнойработе на 14th International Conference on II-VI Compounds. 23-28 August.2009. St. Petersburg, Russia. Принимал самое активное участие вподготовке доклада и обсуждении результатов на английском языке. Поматериалам конференции с участием Канахина А.А. опубликована статьяза рубежом в журнале Physical Status Solidi C – 7(6). – (2010).На старших курсах освоил и модернизировал ряд программ,используемых нами для расчетов спектров и равновесия дефектов вкристаллах А2В6.
Совместно с аспирантами, имея проверенный материалпо анализу дефектов, энергий их образования и ионизации, Канахин А.А.на базе модернизированной им программы, заново пересчитал равновесияточечных дефектов в соединениях ZnSе, ZnO, CdS, CdTe с положительнымрезультатом. В результате были получены уточненные данные,позволившие сделать важные выводы.В 2012 г. Канахин А.А. на отлично защитил Магистерскуюдиссертацию«Связьдефектообразованиясульфидакадмиясэлектрофизическими свойствами». Одновременно сдавал вступительныеэкзамены в аспирантуру. В июле 2012 г. зачислен в аспирантуру МЭИ покафедре Полупроводниковой Электроники.Тема его кандидатской диссертации «Применение моделиантипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородомCdS».
Его работа в аспирантуре связана с изучением влияния повышенныхконцентраций изоэлектронной примеси кислорода на оптические свойствасульфида кадмия. В работе Канахин А.А. проявил себя как вдумчивый12.