Неофициальный отзыв (Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS)
Описание файла
Файл "Неофициальный отзыв" внутри архива находится в папке "Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS". PDF-файл из архива "Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ОТЗЫВ на автореферат диссертационной работы Канахина Алексея Алексеевича «Применение модели антипересекалощихся зон в случае высокого легирования кислородом СЮ», представленной иа соискание ученой степени кандидата физико-математических наук но специальности 01.04.10- Физика полупроводников. Диссертационная работа Канахина А.А. посвящена исследованшо на основе теории антипересекающихся зон степени возможного легирования кислородом монокристаллов СЖ в зависимости от типа собственных точечных дефектов с применением ионной имплантащгя кислорода.
Несмотря на длительный период исследований поведения примеси кислорода в соединениях А Вь полной определенности в этом вопросе до настоящего времени нет. Известно. что примесь кислорода неизменно присутствует дазке в высокочистых халькогенидах цинка, полученных химическим осаждением из газовой фазы, и может оказывать влияние на оптические свойства этих материалов. Выявление природы этого влияния с привлечением современных оригинальных теоретических разработок несомненно обладаег актуальностью и научной новизной. Автором впервые обнаружено длинноволновое смещение экситонного спекзра СЙЯ~О) при высоких коьщентрациях примеси кислорода.
обьясняемое с точки зрения теории непересекающихся зон. а также проведена идентификация эквидистантных полос экситонной серии спектра СОО, уточняющих спектральное положение экситонных полос и подтверждающих величину прямой запрещенной зоны оксида кадмия. Значительный интерес представля~от результаты, ~олу~енные автором при исследовании микрокатодолюминисценции слоев СЛЯ(О) с учетом различных типов соб~~венны~ ~о~еч~~~ д~фек~о~.
Достаточно важными являются результаты экспериментального исследования по влиянию радиационного отжига на оптические свойства ионполегированных слоев, при которых обнаружено неидентифицированное ранее интенсивное свечение и уточнена его природа. Все представленные результаты оазируются на теоретических оценках и корректно проведенных экспериментальных исследованиях, что дает возможность считать выводы работы достоверными. Работа в целом и ее отдельные результаты имеют несомненную теоретическую и практическую направленность и имеют завершенный харакгер. Замечание по автореферату. Не указано, по какой методике получен исходный сульфид кадмия. Автор пишет, что «в качестве подложек взяты газофазные монокристаллы Ссб». Однако из газовой фазы кристаллы могут быть выращены с использованием методов химического осаждения из газовой фазы (СУ0), физического осаждения (РЪЧ)), а также, химического транспорта.
При этом кристаллы будут отличаться природой примесных и структурных дефекгов. Наличие различных примесей, содержание которых автор не приводит, может влиять на результаты исследований. Однако, указанное замечания ие влияет иа положительное впечатление От раооты и не уменьшают ценности иолучениых результмов. В целом мОжнО заключить, что по актуальности, практической значимости, новизне н уровню проведения зкспериментов, рассмотренная раоота удовлетворяет требованиям, предъявляемым к кандндкгским диссертациям, а ее автор, Канахин А. Л, заслуживает присуждения ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04,10- Физика полупроводников.
Зав. лабораторией высокочистых оптическ материалов ИХВВ РАН им. Г.Г.Девятых, д.х.н, . Е,М,Гаврищук Гаврищук Евгений Михайлович 603163, г. Нижний Новгород, Казанское шоссе, 4. +7-950-345-38-29 ранг®1Ьря.пном.ги Подпись руки Е.МХаврищука заверщо; 3ам. директора по научной работе, д.х.н, МЯ .