Неофициальный отзыв 2 (Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS)

отзыв на автореферат диссертации Канахина Алексея Алексеевича "Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом СЙБ", представленной нас соискание ученой степени кандидата физико- математических по специальности 01.04,10 — физика полупроводников. Диссертация Канахина А.А. посвящена изучению эффектов, наблюдаемых при ионном легировании кислородом монокристаллов сульфида кадмия (СЖ). В работе изучались легированные кислородом кристаллы СЙБ(0) с предельно большим содержанием кислорода, характеризующиеся различным составом собственных точечных дефектов (СТД). Исследованы оптические свойства (фотон катодолюминесценция, спектры фотоотражения) этих кристаллов, проведены расчеты дефектообразования с учетом присутствия кислорода и его взаимодействия с СТД.

Содержание диссертации в полной мере соответствует паспорту специальности 01.04.10 — Физика-полупроводников. Кислород в кристаллах СОЯ является изоэлектронной примесью, оказывающей существенное влияние на их оптические свойства. Учесть это влияние напрямую, стало возможно только в прошедшее десятилетие в связи с развитием модели антипересекающихся зон «Ьапд ап6сгоаз1пя - ВАС). При этом в случае системы СЙК(0) задача существенно усложняется в связи со сложным характером растворения кислорода в СЙЯ и непосредственной связью этого процесса с системой СТД кристалла. Поэтому изучение оптических эффектов, связанных с растворенным кислородом в СЖ, особенно в условиях его контролируемого введения в кристалл, является важной и актуальной задачей.

Среди основных результатов диссертационного исследования Канахина А.А. можно выделить следующее: обнаружение предсказанного теорией ВАС длинноволнового сдвига экситонных полос люминесценции легированных кислородом кристалов СЙБ(0); идентификация экситонных полос оксида кадмия (СдО) в спектрах кристаллов СЖ(Сд); уточнение ширины запрещенной зоны СдО; обоснование связи растворимости кислорода с различными типами СТД кристалла., интерпретация высокоэнергетического смещения экситонных полос в отражении ионнолегированных слоев: выявление механизма влияние радиационного отжига на оптические свойства ионнолегированных слоев, Перечисленные результаты в полной мере отражены в опубликованных при участии автора научных работах, в т.ч.

в журналах из перечня ВАК. Сульфид кадмия является востребованным оптическим материалом, нашедшим применение в области солнечной энергетики, оптических датчиков и сцинтилляционных детекторов. В настоящие время в мире ведутся перспективные исследования квантоворазмерных структур СдЯ, а также изучаются возможности применения этого полупроводника в качестве компактного лазерного источника ИК-диапазона. Полученные Капахиным А.А. результаты могут быть использованы в перечисленных выше применениях как в фундаментальном (уточнение зонных моделей, идентификация некоторых полос люминесценции), так и в прикладном (совершенствование методики анализа содержания кислорода) смысле, что обуславливает практическую значимость представленной диссертации.

По автореферату можно сделать следующие основные замечания: 1. Модель ВАС применительно к СсБ(О) предполагает расщепление зоны проводимости на две подзоны локализованных и протяженных состояний (Е и Е'). Упоминаемый автором Ьапд кар Ьо~чшя эффект очевидно связан с влиянием «нижней» подзоны Е. Вопрос о проявлении подзоны Е' в оптических свойствах СЮ(0) в автореферате не поднимается.

2, В автореферате отсутствуют рисунки, в то время как наличие нескольких «характерных» спектров или иллюстраций энергетических моделей з~~~~т~~~~~ упрощает восприятие изливе~о~~ ~~~ерзала, в особенности для специалистов в смежных областях. Встречаются незначительные опечатки. к.т.н. Семенов Владимир Михайлович Научный сотрудник лаб. ИСПАВР МФТИ 141700, Московская область, г. Долгопрудный, Институтский пер., 9.

Тел: +7 498 744 б5 24 Перечисленные недостатки не снижают общего, положительного впечатления о диссертации Канахина А.А. Работа выполнена на достойном научном уровне, является полным и законченным исследованием, характеризующимся комплексным подходом к решению поставленных задач. Диссертация удовлетворяет требованиям положения ВАК «О присуждении ученых степеней», а ее автор — Канахин А.А. заслуживает присуждения ему искомой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 Физика полупроводников. .