Отзыв от ЦСС (Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах)
Описание файла
Файл "Отзыв от ЦСС" внутри архива находится в следующих папках: Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах, Документы. PDF-файл из архива "Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ОТЗЫВ на автореферат диссертации Журавлевой Любови Михайловны на тему «Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах», представленную на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 Организация производства (в области радиоэлектроники) Вопросы перспективного развития элементной базы электроники и оптоэлектроники имеют большое значение для развития телекоммуникационных технологий и систем передачи информации. Постоянное увеличение объемов информации требует повышения пропускной способности телекоммуникационных систем и других эксплуатационных параметров (скорости передачи сигналов, качества связи и т.д.). Поэтому задачи совершенствования физико-технологических принципов создания базовых элементов волоконно-оптических систем передачи информации (ВОСП), которым посвящена диссертация, являются весьма актуальными.
В диссертации рассматриваются важные проблемы научноисследовательской и опытно-конструкторской разработки технологического маршрута производства оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах. В результате диссертационных исследований получены следующие научные результаты: 1) созданы научно-методические и физико-технологические основы и принципы разработки, производства и применения изотопических наноструктур как функциональной среды оптоэлектронных устройств нового поколения; 2) разработаны базовые этапы технологического маршрута нового направления проектирования производственно-технологических процессов изготовления полупроводниковых материалов на основе изотопов исходных химических элементов; 3) предложен новый изотопический материал для оптоэлектроники на базе модели сверхрешетки, значительно повышающий качество оптоэлектронных устройств; 4) разработаны методики проектирования и технологии изготовления модифицированных наноструктур, а также оценки эффективности их применения в базовых элементах ВОСП.
5) разработан программно-вычислительный комплекс физикоматематического моделирования. Диссертационная работа представляет большой интерес с теоретической и практической точек зрения. Основные положения и выводы отличаются научной новизной, теоретической и практической значимостью, обоснованностью и достоверностью. Работа представляет собой законченное научное исследование.
Результаты диссертации достаточно обоснованы, достоверны и апробированы на международных научных конференциях, а также опубликованы в ведущих отечественных и зарубежных журналах, трех монографиях и четырех патентах на изобретение. Диссертация отвечает всем требованиям ВАК Минобразования и науки РФ, предъявляемым к работам на соискание ученой степени доктора технических наук, а ее автор, Журавлева Любовь Михайловна, заслуживает присуждения ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 Организация производства (в области радиозлектроники).
Заместитель начальника сл технологического обеспеч п омышленной безопасное ентральной станции связ филиала ОАО «РЖД», к.т. П.В.Подворный Р,4~,.а л .