1 (Технология изготовления микрокоммутационных плат с тонкопленочными резистивными элементами)

Технологический анализ микрокоммутационной платыАнализ конструкцийрезистивных элементовМногослойная плата с тонкопленочными элементамиФормула коэффициента формыСхематичное изображение элементаwМесто под пайкуЭлектрический контактДвухуровневыйконденсаторl/wll1wl2 wBПроводник(l1+l2)/w+0,559bhhAr1t(1/2π)*ln(r1/ r2)r21/8ln(l/b)lbbРассчитаные резисторыаМатериал: хром (R Cr = 300 Ом /  , αR =1 ⋅ 10–4 °С-1, P0 = 1 мВт/мм2)ИндуктивностьwПолосковыйконденсаторРезисторХарактеристикиR1 = 100 Ом;PH1 =10 мВт;KФ1 =0,33;lполн1 =0,99 мм;bтоп1 =5,92 мм;S1=5,86 мм2wDвнутрТопологияDвнешhhlhR2 = 1000 Ом;PH1 =15 мВт;KФ1 =3,33;lполн1 =3,12 мм;bтоп1 =0,93 мм;S1=2,90 мм2wlab tlSАнализ применяемых материалов№Э лемен ты1П одложка2АПров одн ик иВторой слойметаллизацииМ атериалыа=60 ммb=48 м мс= 0 ,5 м мb=50 мкмt= 5 0 м к мh /b = 1 /5εtgδ .

1 0 - 4С и та л л7 ,5 -91 0 -1 5П о л и ко р9 ,61307 ,5М едь--4011 6 ,6--2382 3 ,6Золото--31714Х ром--945l= 5 м мb = 0 ,5 м мh=20 мкмТ ан тал β--2436 ,5Н ихром--~1 8 01 4 -1 8h=2 м кмП олии м и дД ву о к ись к р ем н и я3 ,53 ,92 -4151 ,00 ,42 0 -3 02 0 -5 0A =5 ммB=5 м мh=2 м кмс2БД в у х ур о в н е в ы ек онд енсаторыР азм ер ыА лю м ин и йПервый слойметаллизации2ВП лан арны ек онд енсаторыПодложка2Г34И н д у кт и вн о с т ьР е з и с ти в н ы е эл е м е н т ыИ зо л яц и яХ арак теристик иТКЛР,w,В т /( м .

К )К - 1 . 1 0 -62 0 -2 55 -7b=50 мкмt= 5 0 м к мS=5 м мh=10 мкмb=50 мкмt= 5 0 м к мS=5 м мh=10 мкм.