Билеты и программа (Точные билеты к экзамену)
Описание файла
Документ из архива "Точные билеты к экзамену", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физика пп приборов и интегральных схем" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "физика пп приборов и интегральных схем" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Билеты и программа"
Текст из документа "Билеты и программа"
Билеты к зимней сессии 2008-1009 для Эл-15-05.
БИЛЕТ 1
-
Анализ основных уравнений п/п электроники. Уравнение электронейтральности. Уравнение плотностей тока.
-
Анализ контакта Ме – п/п. Выпрямление на контакте Ме – п/п.
-
Гетеропереход. Энергетическая диаграмма, перенос тока.
БИЛЕТ 2
-
Анализ основных уравнений п/п электроники. Вывод уравнения непрерывности
-
Диффузионная емкость p-n перехода.
-
Влияние внешнего эл. поля на p-n переход
БИЛЕТ 3
-
Анализ влияния внешнего эл. поля на толщину запорного слоя, высоту потенциального барьера, контакта Ме- п/п
-
Виды пробоя структуры, содержаший p-n переход. Лавинный пробой
-
Проводимость п/п. Влияние высокого уровня инжекции на параметры диода.
БИЛЕТ 4
-
Виды пробоя Тепловой пробой
-
Основные соотношения в п/п электронике (конц. зарядов, уровень Ферми)
-
Гетеропереход. Сопоставление с монопереходом.
БИЛЕТ 5
-
Анализ электронно-дырочного перехода. Равновесное состояние. Выпрямление.
-
Уравнение Пуассона. Физический смысл. Применение.
-
Лавинный пробой.
БИЛЕТ 6
-
ВАХ структуры с р-n переходом. Диффузионная теория выпрямления.
-
Анализ контакта двух вырожденных п.п. (ВАХ, энергетическая диаграмма)
-
Стабилитрон. Принцип действия, основные параметры.
БИЛЕТ 7
-
Анализ ёмкостей структуры содержащих p-n переход
-
Анализ ВАХ p-n перехода (энергетические диаграммы, выпрямление на p-n переходе)
-
Виды пробоя. Тепловой пробой
БИЛЕТ 8
-
Анализ контакта двух п/п с различной шириной запрещенной зоны.
-
Как влияет омическое сопротивление (???) полупроводника на ВАХ p-n структуры.
-
ВАХ контакта двух вырожденных п/п. Образование отрицательного сопротивления.
БИЛЕТ 9
-
Виды пробоя. Туннельный пробой.
-
Проводимость п/п. Влияние проводимости базы на параметры структуры.
-
Диодная теория выпрямления.
БИЛЕТ 10
-
Влияние высокого уровня инжекции на параметры структуры.
-
Уравнение Пуассона. Физический смысл.
-
Гетеропереходы. Принципиальная особенность.
БИЛЕТ 11
-
Диффузионная емкость диода.
-
Контактные явления. Виды контактов.
-
Влияние толщины п/п на прямую ветвь характеристики диода. (Диодная и диффузионная теория; Диоды с толстой базой и тонкой базой: различия; Сопротивление базы зависит от толщины диода)
БИЛЕТ 12
-
Диффузионная теория выпрямления.
-
Анализ контактного явления гетероперехода.
-
Лавинный пробой.
БИЛЕТ 13
-
Анализ электронно-дырочного перехода. Равновесное состояние. Расчет ОПЗ. Виды потенциала (???) эл. поля. (резкий/плавный?)
-
Туннельный пробой.
-
Основные уравнения п/п электроники.
БИЛЕТ 14
-
Диодная теория выпрямления диода. (Этот вычеркнули, по-моему.)
-
Виды пробоя. Тепловой пробой.
-
Стабилитрон.
БИЛЕТ 15
-
Анализ емкостей p-n структуры. (Зарядная, диффузионная, поверхностная)
-
Различия обратной ветви ВАХ Ge и Si диодов.
-
Основные уравнения п\п электроники.