Ответы (ЭЛ) Подборка материалов: Дипломы и ВКР бесплатно 14304

Распознанный текст из изображения:

ф~Ф'~'~

:у ..~'~с:к . ~М-

У Р ~ фы Ам с~.а/М И444~ ~4~

~АХИ' ~ аи ~ юг ~.- о -е ~ = -~ Ы. ~ "" и,с.~у~и и.а. ~Х.я.у~,,~

а.~

Распознанный текст из изображения:

/~ ~ ~с ~~г ~~+ .:г- ю у.г. ~ ~м г ~~Ми.~ ~см .,йа~са)у~ Е~,-, ~~( 1 ~(дцфто~ вЂ” уды ~, кий авдей ~ с ~ сМи(,~ р~~'. ~ ьр у~ ~м~ ~,:Л . ~фл~ . у~у.- . / ~г уг. ~рж-/ г у , уи~с~ 6. ~4ц,икр~.' ~~ю~ вЂ” ~.а)

!

~ ~.у~'~+р'~ Ф-~ '1~р-т

фм ~~ь~вау~',. у,сид -' к- кучук . ~ ~ ею~'.. ~.сжмУ,

у~уе6 ~си, с~лж. 0 ф ~~у ~ и ~'„~: ~ г- ж р~э ~фР.Я-с- ~ вЂ” ~.~-~ ~" вЂ” Ф"~~ бс,~~ ~- ~ = у: ф'; ~~~ ~.ф ~~' вЂ” ~Х~ ~ ~ус .г ~ р~: Е . у ю ~ . г = у, с „Д~ . ~~' ~( Е Р ф~,

,Ф ~

~~ уФ"сна: уф: р 6ю' Жбж.Щ ~~ . «~.с~с ~ ~„,~~а ~.~е.Ф~ -.- А.Ф . ~С с.М ~~-~Р~-~ ~У.

~-а: МЬм у, юань~ 'ф:. ~-4- ф~ от~ Г,А1 ~ ~С Ы "' + - ~ ~саяс~4 вЂ” ~„~ ~' Фс~ ~ е~.~ -~ г ~Ф~ '~ ~/ 1 О Й4 ~у уеду~ д . ифсГ /Ю~~~ ~фас ~~АА~Э~ фЪМ / 1 ь~.ЗС~

~'"Я~ "~,~р ~/: (ь', ' Я, ! ~ОФфРФ. ф ~в ф

Распознанный текст из изображения:

Р~~

~а ~ вЂ” '"~ /~~~~ ф~ ~д,ег~ . у~р~ . тр м ~.у~ ~~~у'- -~~~- . 1~Я -и~ ~~ ~,„~ - у-.~ Д~.РМР»- ~~хЖРр'Щ др, др„', ка у~:. ск4мю ьр = ~~ у' * р'уф /-Ц

/: ЯЩ~~ ~у ц~'. ф~ ~ / ~ /' вЂ”, ЯО'М 9. > ВОИ в4а ырщр й

~А~', з О ~~~ ~-М~.ХЪ й' Я, ~.4~=Ф"ф~~, С~Л~-~ж -ф,сМ ~Р

вЂ” ~- /%'-~

Д6~Дс ~~Р~~ГФ6- г ~ФФФ а 6'ф4Н ' ~~щ.~Ф .:Ф': ~.~ р~.~у~ вЂ”,~ '4 ","/,

~

ФУФ4~И+~~~, ~С.' ~О -~ ~~~~ЮУ~Я~~' ~ ~ 6Ь- ~~~ у~к~р '~~~

аИ .:, э . Р~6ф.~ „Ф ~.к. у ~ ~ а ~~: мг . ф4~с~:-;

~ФР~~'.М~ф~, ~3 ~~~,ЙЩРСФ~:, .:, ~~ба Е Ыа~ р ~Р

й~4~М~~ . Дс,рс-М а.~ -8 рйж й',бу,р г - г2-~~ ~,~фа~,

$4ффб ~ ~ ';, ~~,Д~Ы 6Ф ьА 4ХФг', '~~2, ~~ "2~ю~2 ~ .'

ж~ ~жю вг й. м«е '~~ с~ К ия~, ~ д~г л с

рУЛ'~Х4 .: рр ~7/73 и ы~. ' 4оиаЮ~ .н4~ ~ йЗ~-

Я Г ~цап 7О йМ'ВЮЮ /

Ф

~ Ю ~~ ~Х'Ъ ~~ Р, ~ь~0 ~ФУ Й4. ъ4.

Фиа. ~~,./ у. ° ~ ф . ю~)Р „ду.ис,а ~.

~ 4..~ /„~ д~,. ~ /„-~ Д~~ ~'-/у Ж~~ . ~ ~ ур ЮъО, ф вЂ” и К ф~с б' 'Ь~' .Р' уМТ 'ф г ~Ю~"! е ~4ЮУЮ М~ '

Р~~/, ~~~ф,~ ~~~~ с~ вЂ”,ру~~ ~.~у ~-~~-О /р ~ ~ вЂ” ~~~ ~~"" (

/сйамХ~ФсР~~ ~" ~~В Ж~~ ', ~~~)ц!Р ~ Я~С/ М~МЬ~' й-..= ~

Р у.,

.~!~~... 4-р" / ...(

Я~С УМСФф~.вЂ” аи: ЯР~ Ц ~ ..~: ~.; ~у М+ф' -~ г~

~~, ~l

ф- ',~~ б' у„7~ . ~~~~~ ф' Ййм +.-ш р г «ЙЛ: ~ =( 7е~ ~®/- '~ ф М-Р"~ фс - ж 4у,.~, Ъ Р,с~.ы. ф~-и~,~ ~, р~ ~уф,ри.~б вЂ” щ ~дау,аул-,мО~~~ ~ба~,

р- .А-~ ~~4~' ~6 ~4Ф~~: ..гЯ'-4р~" .с.с~ ~ ЯЦ' ~ э, Уо ~с,с- мс. "-сагФ~Ффмо:;: фас.:. жу - «:Б'» у~~~Ф~~ +' .. Ьл Ф4»' ~~амУ ~:Жс~, .«'Я~ - ~ с- ~ ~ М,+;~:

~4'~~Ж«~, ~ Ф ~.~жР .с.ю~ см ыФ=~ ~,'~с р~.:. 7 ~: «~ ...~ ф. = вЂ”" йъ4-~м. ' ~ ~.р г

/~ .: ь. ~~~ьМ ю~ы:г, и: ~у ~ ~~ ~ '~ ~~~~т~~с~ ~ фырк " ° У, ~'-

Г,,;,

/'Т ~ г ~ =~Ф,:М,/ Фф~/- вЂ” ~ /' . ф~~',й,~,Ф ~ к~

/,7

~Жф~~ыФ~Х 4Ф4~4 ~ й.м~= Ф~- Й'. -- Й- ~» вЂ” ~ лф~Г~~'~7О

р. ~ ~, /~„°

/Ыф~:.,и-~~ .~.а~ .вЂ”.,~.у': 7д, -у ~~д~,. ~с.Р/~~~Ф...,~БЖа~у..

Распознанный текст из изображения:

р~д~МУ ~+8 " ~Ф-ж. ~~Ам.~ -е ~ уи~~~ы~-а.~Ф~ гт г.~Ъ~ ~- р~.д„., д,РЮ~р-" Г~-М.а,

,/Ф'ЧР~.с ~;, ~~ фУМ:. ~~~6;4- ~~ = вЂ”. ~Ф- -:-~'-~'-'- ~ьф~.;~с.,".» ~~ джр,/, -г Й~~.~ 4 дю Г .

, ул

4~в ' ф"-~' Ф~~ /6АаФ ' . гсР~ю' ~ гас ' (/ ~ Е / у ' ' у~~ 'д Е г~~ у-

/А" Л"/ 8

(, Крц ~~ ~~ж~м-, ъ~ ы / а~у~- и Р Д ~Фй~+й~

ф ~иыькФ ( ~ЪкРй4~а. ~ й. ~ чР. м Р Ф~

/ ~Д Г ~~/:й4~Ч!Р: д~44~~й~Фсс ~ 3 Рй"'~'','Й~~~Ф.МФ6~,: 7:~. /' . фд ф а М'~ ° вЂ” ~~~Ммй+Сг, фС вЂ”:с а ~с Ю,~ Исаа:~у.~~.<

вЂ” ~а~, ~Р~-Ф- ",~~а~ р~ф ~~ЮЪ~ . ~И%~ Ф Ж~ - ~ ' /~~' . ' вЂ” м ь', фа~~ с.' -/У

фй+' .' Ю4й Ф"""+: Уф. Р, Й~ф~ . ФЮ~. М~., 'с~~сФ а~ю Э~~ ' .~о~ ~ рб-г М ©И~~ ~ ~уА-,:. аа~ м ы -Р, ~~ь ~~ ' ~ 4Им-

~~~Ф~~Ф' ~ -8~ рог ~'ы.' ',Ау~ у д~„' ~-э м~у~~р.~~

~~Ф

ф~м м"+4ксусг.~ „~садыс ~сВФ ~ю»- М .'

С4~ ~ак «~4~мЙ~~ ~: ~~-~~~~ . й' Ф о~ вЂ” и-~:: ~у гХ ~ эю~сг . си ~ вЂ” ~мгг уу~ рф ~. +~~ ' ф~~"~~ " ~ ~ ~~Уг... А.с~.с~~:., дФФ~Ф ~~~ - Я~~~

~' Ф Ф 4 Г ~ МЖ Рй Д~~~у-~ф ~ .ргЫ'~ас~м~м~-~. /мФи-Г~, ге~~~ ~' ~~ ~~сж~ ~у.. ~р~ффьс~.'~Ю

Йфс~и жжс ' чсм~о~ ." '~ .: уа.вйс'~~ ~+ ц ~ у' ЯЗ ~ "Фс/~ Ф' ~! 4~ ф~фФФ М'? . ~У-~Ф~ Ф~ .ф:Д~~ ',~ ~. ~фу

,.учудил'. ~ ~ рсю юзА с ~~с~ ~си ' .кМ-~г~» ~.~лд', ~

:,,Иф~.~~рь в.~: ~ ~~-"О:; ~И-~-~.~; б';-;~ . ~ д~д- у, ,ф,Б 3,~~8-с Р ~-~~- -Х~- ~-с-е~,: ЙР~Р~-4", 7 ~~' .; .~~у~у~, - с~.~

/ ~

,~у~ ~.~ (,~ф ~, ~,~С М./ вЂ” ~.Ф6.~' ~ Ф1. Л~ ~ф' „~,~-м~М: ~~~ ~ вЂ” Й ~с.аи Х - ~д фам~с~с. ',Ф '' РК»- Уз А~'~„~

уцди, ~Ма 4с ж. с~г: ' ~аФ~ф, и~у ~а~ ~6Ж~Ф~ Щюиъ:"~-су - м~ . ~ ~~'~К . - ф~М с~мюъг: ~у

у - ~; „:/~'-:~ ~ р М- ~ ~т~.ф~фЕ- 7, 7 ( ~ ~ '/ ~ /~ / ЯМ~~

|

Распознанный текст из изображения:

вЂ” 46вЂ”

О р„

Рис. 2. 6. Спрямление прямой ветви ВАХ диода вследствие влияния сопротивления базы

1. При расчете сопротивления базы маломощных импульсных и высокочастотных диодов, у которых линейные размеры р-п перехода в плоскости, перпендикулярной оси х, обычно соизмеримы с толщиной базы Ю„, необходимо учитывать боковое растекание тока в базе, приводящее к меньшим значениям г, по сравнению со значением, рассчитанным по формуле (2. 25). Оценка величины сопротивления базы таких диодов проводится по эмпирическим формулам, приближенно учитывающим геометрию растекания тока в базе.

2. Формула (2. 25) справедлива при соблюдении условия низкого уровня инжекции в базе р'-и диода, т. е. условия Ьр„, « п ,. С ростом прямого напряжения на р-п переходе повышается концентрация дырок, инжектированных в базу Ьр„(х). В силу условия квазиэлектронейтральности Ьп„ = Лр„ с ростом прямого тока происходит увеличение концентрации электронов в базе вблизи ОПЗ, поэтому удельная электропроводность базы возрастает, а ее сопротивление падает. Это явление называется модуляцией сопротивления базы. В результате этого эффекта падение напряжения на базе У, не будет пропорционально току. протекающему через диод.

1. 5.3. Влияние эффектов высокого уровня ннжекцни

Один из таких эффектов мы отметили выше, это модуляция сопротивления базы. Отметим некоторые другие особенности работы диода при высоком уровне инжекции (ВУИ).

вЂ” 47вЂ”

1. С ростом концентрации дырок (в нашем р'-п диоде), инжектированных в базу, возрастает напряженность электрического поля в базе Е»„,. Это поле вызывает появление дрейфовой составляющей тока дырок в базе. Кроме того, с ростом Лр„, увеличивается и концентрация избыточных электронов в базе Лп„, вблизи ОПЗ, что приводит к появлению диффузионной составляющей тока электронов в базе. Таким образом, при выводе формулы для ВАХ в случае высокого уровня инжекции следовало бы учитывать дрейфовую составляющую тока дырок и диффузионную составляющую тока электронов в базе. Решение этой задачи дает более слабую, чем 1 вЂ” ехр(У/у, ), зависимость тока от напряжения.

2. С ростом тока и повышением избыточной концентрации электронов вблизи ОПЗ начинает уменьшаться коэффициент инжекции и происходит перераспределение составляющих полного тока диода, о которых говорилось выше.

3. С ростом уровня инжекции начинает сказываться влияние электронно-дырочного рассеяния на подвижность электронов и дырок.

4. С ростом тока изменяются условия рекомбинации носителей заряда в КНО и, следовательно, параметры (время жизни, диффузионная длина), определяющие вид и характер ВАХ.

Из сказанного следует, что, с одной стороны, учет эффектов высокого уровня инжекции осложняет задачу аналитического определения зависимости тока, протекающего через диод, от напряжения на нем, а с другой стороны, наличие этих эффектов искажает ВАХ идеализированного диода (2. 20). Подробно все эти вопросы рассмотрены в

[1] .

1.5.4. Влияние температуры на параметры н ВАХ диода

При изменении температуры изменяются практически все электро- физические свойства полупроводников, поэтому изменяются и параметры полупроводниковых приборов, в частности, значения ~р„ и 1, р-и перехода. Изменение температуры р-п перехода может произойти не только вследствие изменения температуры окружающей среды, но и за счет саморазогрева р-и перехода при больших плотностях протекающего через него тока. Это может привести к дополнительным искажениям ВАХ диода.

Таким образом, при изменении тока полупроводникового диода в большом диапазоне вследствие влияния перечисленных эффектов может

Распознанный текст из изображения:

+У

о

Юр хр (У) О х (У) Ю

1опз (У )

1опз (У)

б)

(3. 20)

Со = Б Со уд вЂ” Б

(3. 21)

в)

(3. 22)

г)

вЂ” ЕВвЂ”

4. При обра пном напряжении электрическое поле, создаваемое внешним источником напряжения Е,„,„„, складывается с полем ОПЗ Е,„, (рис. 3. 3, а). В результате возрастают высота потенциального барьера (для основных носителей заряда) е„, = (Ч~ вЂ” У) (рис. 3. 3, в), максимальная напряженность поля Е„„ = 2(~р„ вЂ” У) /1,„, (рис. 3. 3, б) и заряды 0' и Г (рис. 3. 3, г). Следствием последнего является смещение границ ОПЗ -х и х„ влево и вправо, соответственно, и увеличение толщины ОПЗ в целом, что подтверждается формулами (3. 14) вЂ” (3. 18).

Рис. 3. 3. Изменение толщины ОПЗ (а), напряженности электрического поля (б), потенциала (в) и заряда (г) при приложении к диоду обраиного смещения

1.4. Барьерная емкость р-и перехода

Электронно-дырочный переход можно рассматривать как конденсатор с обкладками в виде двух проводящих квазинейтральных областей. разделенных "диэлектриком" в виде ОПЗ, в которой нет (точнее, имеется пренебрежимо малое количество) подвижных носителей заряда (особенно при обратном смещении). Емкость этого конденсатора называют барьерной (поскольку она связана с формированием потенциального барьера р-и перехода).

Величину барьерной емкости можно найти, воспользовавшись общим определением емкости по формуле

б0

С = (3. 19)

йу

б0 И,„,

Представив (19) в виде С, = и используя выражения

и,„бу

(3. 5) и (3. 16), можно получить следующую формулу для удельной

барьерной емкосна ступенчатого р-и перехода на единице площади:

Полная емкость С, пропорциональна площади р-и перехода 5. т. е.

Аналогично можно вывести формулу для барьерной емкости линейного р-и перехода:

Обратите внимание вЂ” те же результаты, т. е. формулы (3. 21) и (3. 22), можно было получить, используя известную формулу для плоского конденсатора

Сб ~~~О~~опз (3. 23)

Распознанный текст из изображения:

вЂ” 68вЂ” и выражения (3. 16) и (3. 18) для ширины ОПЗ ступенчатого и линейного р-и переходов.

Отметим, что в отличие от емкости обычного плоского конденсатора барьерная емкость р-и перехода изменяется при изменении напряжения: с ростом обратного напряжения С, уменьшается, а с ростом прямого напряжения вЂ” увеличивается, что связано с зависимостью 1опэ (у).

Зависимость величины барьерной емкости р-и перехода от приложенного к нему напряжения называется вольв-фарадной харакверисиикой (ВФХ). Как следует из формул (3. 20) и (3. 22), для ступенчатого перехода С, У ' ", а для линейного С, У ' " . На рис. 3. 4 представлены графики С,(У) в линейном масштабе, откуда видно, что для плавного перехода зависимость барьерной емкости от напряжения более слабая (кривая 1), чем для ступенчатого перехода (кривая 2).

При прямом смещении главную роль с ростом У начинает играть диффузионная емкосюь С,, связанная с накоплением и рассасыванием неосновных носителей заряда в базе диода. (Влияние этой емкости на импульсные свойства р-и перехода будет рассмотрено в лабораторной работе И'4.)

Более полную информацию о р-и переходе получают путем специального анализа экспериментальных данных (см. п. 2. 4).

Для проведения многократных расчетов формулы (3. 20) и (3. 23) полезно представить несколько в ином виде. Тогда, например, для ступенчатого перехода получим С (О)

(3. 24) Сб(У) = Б

(1 У/~р )1/2 где С,(0) вЂ” значение барьерной емкости при У = О. Для линейного перехода имеем Сб (О)

(3. 25) Сб(У) = Я

уу~ )1~3'

вЂ” 69вЂ”

Таким образом, как следует из представленной теории, величина барьерной емкости и ее зависимость от приложенного напряжения определяются типом, электрофизическими свойствами и геометрией р-и перехода.

О р„+У

Рис. 3. 4. Вольт-фарадные характеристики р-п переходов с плавным (1) и ступенчатым (2) распределением легирующей примеси

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

2.1. Методические указания к выполнению работы

Перед проведением лабораторных исследований полезно ознакомиться с экспериментальными методами измерения барьерной емкости р-п перехода, принципом работы и основными параметрами используемого измерителя емкости.

Но прежде всего. для того, чтобы грамотно. с полным пониманием того, что и как предстоит измерять, нужно разобраться ь эквивалентной схеме замещения полупроводникового диода. На рис. 3. 5, а представлена полная малосигнальная эквивалентная схема диода в корпусе, где С, и С вЂ” конденсаторы, отображающие барьерную и диффузионную емкости, г, вЂ” дифференциальное сопротивление р-п перехода, гб вЂ” сопротивление базы, г„ вЂ” сопротивление утечки тока по поверхности кристалла, С„ вЂ” емкость корпуса диода, Ь, вЂ” индуктивность выводов. При прямом смеиенки, как правило, г (( г„ и С )) С,, поэтому, если влиянием сопротивления базы, емкости корпуса и индуктивности выводов диода пренебречь, то эквивалентная схема диода упростится (см. рис. 3. 5, б). При обраяном смеиении величина диффузионной емкости пренебрежимо мала, а значения барьерной емкости и емкости корпуса могут быть сопоставимы. Шунтирующими сопротивлениями г и г„ в этом случае можно пренебречь по сравнению с

Распознанный текст из изображения:

-ф

Ггв -Гзв о

б)

угзз й

проводимости. Прн зтам поп затвором инйуцируется область и-типа, бр з сую пшя канал. соединяющий и ' аблабци .. истпка и стока, яс'. ре шовклю генные рл-переходы исчезают, и в стоковой цепи начинает притекать тоь Принята считать, что транзистпр открывается при напряжении ШГВОРВ, Р6ВГЮМ ПОРОГОВСМУ вЂ” Улв ПРИ КОТОРОМ На ПОВЕРХНОСТИ ИаЧниавт выпоэнятьсл условие сильной:йнвсрсии Гсм. 22ПВ Сгоковьгй ток тем выше, ~еьг больше ипдуцированньш и канале заряд н соотвезсгвснно больше проаадимосп. ип ерсионцап слоя

! Ьзяя1тггосгь напряжений полаваемых на электроды МДП с шщуцярованными л- и р- каналами при их работе в усилительном режиме пропзвопопожпв Для л-канального транзистора на затвор подается плюс оз носнтельно истока, нар канальный транзистор минус

36 стогг прианмаетс» тот электрод, к которому дрейфуют основные пгснгегзгг. ге. в р-ьанальном транзисторе сток должен быть отрицательным и ~ носит ел~ но исз ока и а л канальном вЂ” положительным (см. рис. 242 уг. ус

Сью

рю.2ч.и - мп р ы шра рн МДПтя р налуц р в н ым

авром

- ыюл е, б-пер.датшгные

Г Га рис. 25 представлены вольтаьгперные характерно гики, тини шые для МДП трэнзисюра с индуцированным каналом. Как видно из графиков на карактеристиках МДП траазистора моэкно выделить две области: крутую и пологую. В крутой области ток стока примерно линейно зависит от напряжении исток-сток, поэтому ее часто называют линейной или триодной областью, поскольку примерно гакне характеристики имеют ламповые триоды В по,ююй обласзн зак осока очень слабо зависит от напряжения на стоке, полому эту обласгь часто моделируют горизонтальными пряггыми, просгирающньшс» шглпгь до напряжения пробоя. С увеличением напряжения на затворе гочки огсочки, разделяющие крутую и пологую области, сдвигаются и область болыпих напряжений сток-исток по параболическому закону.

Возможно подобрать параметры МДП транзистора таким образом, иго ппверсия будот наблюдаться уже при 2/, = О, такие трагписторы называюг ~р,гнзисторами с встроенным каналом. В транзисторах с встроенным каншюм прн изьгенепии напряжения на затворе в зависимости от егп полярности инверсия будет либо увеличиваться и так стока расти, лпба уменьшаться ло зсл пор, пока транзистор не запретса При подаче напра>кения па загаор ко~гггентраггия носителей в канале будет либо возрастать, яибп уменьшаться нпяоть до полного исчезновения канала и перехода транзистора в запертое ~аггклзо генное) состояние, в «отором выходвые токи буду~ опрелелязься обратными характеристиками исток-стоковыхр -переходов

Харак гсристнки транзистора с встроенным л - канюом приведены на рис. 26.

О бма 22 6 ГУЗ Р . 26. Гр 6 кш ал ' ии МДП р н не игра «тр

- мнерные кар «г р кн

лные, 6 вЂ” шр д ы

Распознанный текст из изображения:

гр

и

1 гз

1О

1 Ого

1

С=

1УСд л1,'1 Слк л С

пп

1291

1Зоскольку скорость обмена зарядом межлу поверкностными состояниями и объеиом имшт конечное значение, что будет привалить к частотной зависимосги смкасш МДП структуры,

На рис 23 приведена эквивалентная схема лля МДП структуры. учигывающал влияние поверхностных состояний Сравните ее с аяавогячнай сксмой для идеальной МДП структуры 1см. рпс. 1б1.

Когда часто га. приложенного к затвору напряжения настоэькп згюга, гто

преченем заряла С„, можно пренебречь, то будет справедлива схема замепгения,

показанная на рисДЗ, а

Соответственно емкость МДП структуры будет равна сумме посэеловательно акжоченных емкостей Ск и парнллельного соединения ('„,л С„ь, прв ген Сьь, в саонз очередь, равна сумме емкостси Сп 1характеризует олгоплевие пространственного заряда) н С, 1харакгсризует накопление в ипвсрсианном сгюс1

Вошожную величину С„пожни оцеплть по известному эвсргсти юскому

спектру плотности полсрхносгных состояпий 1см. рис 221, При.пом для малого

° ш'наяа допзскается, гто О„в лрслсвах поскопьких Ы медленно изменяющаяся

фтшгпии Тог,щ справеллива

дО„

С„м -ж д п22„1гр 1 ПВ1

ййг,

Па выспких частотах суммарная емкость уменьщакгс» за счет того, что

повсрхпосгныс состояния имеют конечное ерема перезарядки

пропгзрциопальпое г„вЂ” Д„Со,

2,2. ПРИ1РДИП РАБОТЫ МДП ТРАНЗИСТОРА.

ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

-"рт1;

В осноас роботы МДП транзистора нежит рассмозрезггзьзй н лрелылушсм параграфе зффскг управления поверхностными свойствами полупроводника за счсг изиенення ппгенцплла затвора Дтя обеспегения прохождения упг акляеыпго гока под затвором оздаюз лве дополиительяыс электродные области поток н сюк На рис 2Д показана конструкния МДП транзвстора с инлунированным п-каналом.скопа его акзлоченис и графвческое обозначение

Поязпроводниковыс области истока н стока создают из си:гыю лю ированного, обзгадающего хорошей проиодимосгыо, материала, оглггчагогншося по типу от материала базовою крнстачла Таким обрюом, при отсутствии напрялгешш гм затворе мекгГу истоком и стокам оказынаются даа ° шрсчновклгочснных диода и соответственно ток в этой цепи будет равен обр иному току одного из диолов, те весьма мюг и транзистор будет нахо нггься н закрыгоы состоянии. Для тоги чтобы транзистор открыяся иа зшвор пеобзолнмо певать такой потенциал относительно патеипиала позыапкгрной обэа ти, пабы на поверхности пронзошча инверсия

Распознанный текст из изображения:

+У

о

Юр хр (У) О х (У) Ю

1опз (У )

1опз (У)

б)

(3. 20)

Со = Б Со уд вЂ” Б

(3. 21)

в)

(3. 22)

г)

вЂ” ЕВвЂ”

4. При обра пном напряжении электрическое поле, создаваемое внешним источником напряжения Е,„,„„, складывается с полем ОПЗ Е,„, (рис. 3. 3, а). В результате возрастают высота потенциального барьера (для основных носителей заряда) е„, = (Ч~ вЂ” У) (рис. 3. 3, в), максимальная напряженность поля Е„„ = 2(~р„ вЂ” У) /1,„, (рис. 3. 3, б) и заряды 0' и Г (рис. 3. 3, г). Следствием последнего является смещение границ ОПЗ -х и х„ влево и вправо, соответственно, и увеличение толщины ОПЗ в целом, что подтверждается формулами (3. 14) вЂ” (3. 18).

Рис. 3. 3. Изменение толщины ОПЗ (а), напряженности электрического поля (б), потенциала (в) и заряда (г) при приложении к диоду обраиного смещения

1.4. Барьерная емкость р-и перехода

Электронно-дырочный переход можно рассматривать как конденсатор с обкладками в виде двух проводящих квазинейтральных областей. разделенных "диэлектриком" в виде ОПЗ, в которой нет (точнее, имеется пренебрежимо малое количество) подвижных носителей заряда (особенно при обратном смещении). Емкость этого конденсатора называют барьерной (поскольку она связана с формированием потенциального барьера р-и перехода).

Величину барьерной емкости можно найти, воспользовавшись общим определением емкости по формуле

б0

С = (3. 19)

йу

б0 И,„,

Представив (19) в виде С, = и используя выражения

и,„бу

(3. 5) и (3. 16), можно получить следующую формулу для удельной

барьерной емкосна ступенчатого р-и перехода на единице площади:

Полная емкость С, пропорциональна площади р-и перехода 5. т. е.

Аналогично можно вывести формулу для барьерной емкости линейного р-и перехода:

Обратите внимание вЂ” те же результаты, т. е. формулы (3. 21) и (3. 22), можно было получить, используя известную формулу для плоского конденсатора

Сб ~~~О~~опз (3. 23)

Распознанный текст из изображения:

вЂ” 68вЂ” и выражения (3. 16) и (3. 18) для ширины ОПЗ ступенчатого и линейного р-и переходов.

Отметим, что в отличие от емкости обычного плоского конденсатора барьерная емкость р-и перехода изменяется при изменении напряжения: с ростом обратного напряжения С, уменьшается, а с ростом прямого напряжения вЂ” увеличивается, что связано с зависимостью 1опэ (у).

Зависимость величины барьерной емкости р-и перехода от приложенного к нему напряжения называется вольв-фарадной харакверисиикой (ВФХ). Как следует из формул (3. 20) и (3. 22), для ступенчатого перехода С, У ' ", а для линейного С, У ' " . На рис. 3. 4 представлены графики С,(У) в линейном масштабе, откуда видно, что для плавного перехода зависимость барьерной емкости от напряжения более слабая (кривая 1), чем для ступенчатого перехода (кривая 2).

При прямом смещении главную роль с ростом У начинает играть диффузионная емкосюь С,, связанная с накоплением и рассасыванием неосновных носителей заряда в базе диода. (Влияние этой емкости на импульсные свойства р-и перехода будет рассмотрено в лабораторной работе И'4.)

Более полную информацию о р-и переходе получают путем специального анализа экспериментальных данных (см. п. 2. 4).

Для проведения многократных расчетов формулы (3. 20) и (3. 23) полезно представить несколько в ином виде. Тогда, например, для ступенчатого перехода получим С (О)

(3. 24) Сб(У) = Б

(1 У/~р )1/2 где С,(0) вЂ” значение барьерной емкости при У = О. Для линейного перехода имеем Сб (О)

(3. 25) Сб(У) = Я

уу~ )1~3'

вЂ” 69вЂ”

Таким образом, как следует из представленной теории, величина барьерной емкости и ее зависимость от приложенного напряжения определяются типом, электрофизическими свойствами и геометрией р-и перехода.

О р„+У

Рис. 3. 4. Вольт-фарадные характеристики р-п переходов с плавным (1) и ступенчатым (2) распределением легирующей примеси

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

2.1. Методические указания к выполнению работы

Перед проведением лабораторных исследований полезно ознакомиться с экспериментальными методами измерения барьерной емкости р-п перехода, принципом работы и основными параметрами используемого измерителя емкости.

Но прежде всего. для того, чтобы грамотно. с полным пониманием того, что и как предстоит измерять, нужно разобраться ь эквивалентной схеме замещения полупроводникового диода. На рис. 3. 5, а представлена полная малосигнальная эквивалентная схема диода в корпусе, где С, и С вЂ” конденсаторы, отображающие барьерную и диффузионную емкости, г, вЂ” дифференциальное сопротивление р-п перехода, гб вЂ” сопротивление базы, г„ вЂ” сопротивление утечки тока по поверхности кристалла, С„ вЂ” емкость корпуса диода, Ь, вЂ” индуктивность выводов. При прямом смеиенки, как правило, г (( г„ и С )) С,, поэтому, если влиянием сопротивления базы, емкости корпуса и индуктивности выводов диода пренебречь, то эквивалентная схема диода упростится (см. рис. 3. 5, б). При обраяном смеиении величина диффузионной емкости пренебрежимо мала, а значения барьерной емкости и емкости корпуса могут быть сопоставимы. Шунтирующими сопротивлениями г и г„ в этом случае можно пренебречь по сравнению с

Распознанный текст из изображения:

~р,, ~~„~ . « ~-е~

с ~

Е вЂ” у:м~ . ~.~сХ-с~.~

Д ~уФ. ~-. Ю:~.,~а у[, ' .ф~и-, .е7 ~~Г.:~Ь~~:. рф~~'. ~~вЂ” р~~.~,у,~::вЂ” И--~ Ф~~М.~у й' И'~ -~ у~.е~~ И ' ~~ - ~..-Г ге,око уУ- р~~.,~р.': ~ а~-,Ь~ уъюсж~юе у .~ ° д,~ф

~б~. ~й.:7Р ИФС<Р ~~) . ф~~фу~,,(

l~ м.~ус~ю~~ж~Г у~~",с.ррл.г Г - -~ АжФ~~.РЯ' ~р~х ми ь аылю ф 1.: . Р. ~ ~~.жг.-Ф~,: ~Т. ~у~ -~ ~р ~' Й~„.уу,л~ у. Г Йе.с~'," а .г с жми~ ~~ у'

,у~а~Я~ и6 дыр .'Г ис, -ръ ~, ~ ~ Ф~~~~

~

~Е р - ~с иИ~ .ж.сЫ ~Сф~ а Рг И а Е„, о' 4И. Ф~с/

а4 вЂ” .и и ф . и.~,.ц.~~~с -,с ~ ~ ~~ ръ~ .,ыг,

~иихф'..Б ! уЪ~Д КО, . Ы ~~ ~Й6- М7 о~" ',~бФ~1- ~М'

~~ г,~,' р,~ к~К~, -/-. Г,,~, ° г- г

упа мкб ' и 4~46 ря- М~~. ~,'й, ~ ~/ Х~ д~ ~~- ~; ~ - К

~,иу ' а ~~ ~у ~~ л- си.с~:

~

х~ у Ф,,всю~ Ы~:, у~~~м.Р „,,~~- .~ ~ 4р ~с~;=.

~Л „дА(?)~ ~ ~ /~ф 8-М ~ДМ ~~.~у.~.~- рФ ф.,Л "Н- О . вЂ”.,вафд -ф ~~ф~~~М- -~ х., у ~?М ф~ ~,~,~л,„ыЩл 'М~4' И

/

Ю Г /~ Р ~б,~,~~. ~*,6Ы~7ФйУ.Р 3 5

~'.Р

Я фри,Яф~ ~.~ .ф,» .вЂ” ~ М"- у ~~~.)РСИ ~ ~,Ф6 Фз~-с..~М~

м,ир .;~~.'ары~ '. /4 мх ~ у ..„~ с~;.. ~

®1-« ~~;,~

~ вЂ” $~ вЂ” '-~- (~(Ф~-~/~/-ф

йв -р~ ~ -д ~~дд ~: .ссасс,~сжк ~лл:,.~~, р~ вЂ” и.с:"

вЂ” вЂ” /,=Х 3

~

~-~ Р

~

Р~~,4 ~~ .а А ~и р,Г м,

/.

~~ ~с"-

~~ «Р~

Я ~.Ю~.~л.Ю ~6 баб~~. ~Й;„= П-'р '- ~.а~р,Ф ф~ р~ ' Д',дс-~ и р, Р фыр ~~~.~~~ «,-/,~,6:и~-ж/

~,~й~с.с.~ Я ~-У-6.(л ~ .

ф ~у.~-~ ю~~.+ вЂ” ~-" ф~~~~с,~ ~

ф~~ '.~ига й,сь.и~ ~р.» . Бк '~с ~смею, Р,~,:А," ~се-~ ~~ - ~-Р~ ~~~' вЂ” ~ ~~ ~ - ~ ~'- l ~ /' ~~С~~ глл =~ ~Хутуа- г ~, ' ~;;С+~ ~СФКуЦРФ.

"Жом вЂ” рФ юнас 8 р~Сау ~' рх~'и ..-ю вЂ” е~~- ~

/ ~. вЂ” ф ру~ и~,а:

! l~й4-' 4ф.~С ~Ц М . ~/сЛ вЂ” ~ У ' 1 ~~,~ l Жас ~"~-с.:вЂ” ЙЪ И,ТЦ4~ ~ ~ Д ~,,» к~'р~ ~~д~Я $~~: ~ . Д~~~

~:сМ ~~ ф~ ~.~.~~.~.-.~ЖОМ"'Х ~-'ф ГЛ '~ .'Ш Мф'Ф~ вЂ” .~

д .~ М' ~~Э ~, Ф ~Э с~С2 . ', О~ . Ш.'.~Ю У~Ф. ртФ ~ ~А 5 . ~4ЬЖ ~А~-~ ~ ~~Фт с~.~л ж7Ъ~,~"

у

О ~ 1АЙ~- 1ЯФ1: Фф. Я у~' - ' ' М~ МЫФ сФ ~~ Я - ~~ с м~.нО/а . ~

с~~г', С~ ~-Ы~~~Й~~"~~~~~6К ~-И2~А.1 / ~Й-~~~ вЂ” И Е ' ~~ ~~Ф - ~БГ~';4 /' ф4» ,Й ~'й

~~~/ Г Р~ДО~~ Ю . ' ~~фИЮР~Ц. ~.с ~,СФ~-6фС 6ФО К $ф~'ШМ~ вЂ” РМ

~г7с~~,~ мыл~ . ° с 4 -п~. ь' ~р~ ~, м.

~

,4: р - ~~,

) ЕЯ~ ~~~д:,'~9 ' ~' ф~ 'l'6 Ер -~:.~ .)

Я~ вЂ” ~ ~~::: ~ М' )~/~. у,.мл~ОФф~Ф~, ~ ~ ~~же:М,~

~~4~"К4-~ ~ Й: рьх~ . 'ь вЂ” О: ~~В .. „.ы'а с~г-...::

~и. '+~', ькйж

щд /- ~~В ы: ' /

,/ ~, ' / А~." --/

Распознанный текст из изображения:

~~$ ~фА7С ф

С~ ~' = Рой ~й ~ ~

' ~6,-~, ",;- оК.. СФ - ' -7 ~ ~ дФиФт-6' ~

~ ~~ ~~~" ~~„' /-~~~.М.~ ~„~ ~.~!-~,

ф ~ "~~/ Р~~., ф%"-%'ф ~~ф~"'М,'~' '.~Щ~. ~~~~ ",'С: .у~ ~."' Ф . "" Б~...Ф.у У / ~ ~: й'М ~~~ рР' '.фй РЕ ~.~М~М~ ~"/ „~.ий ф~~ ~ШвЂ”

l

у~~~цсДг,,ф~~уу~~ ~.д~ т . + и . г- сл ф ~ ~о ~

,~~а,б Ы Ж ~Х~ - А/ ~ М й 4.с<' Щ~у,~~, файф~~"/~у ~ф~ ~~ ~9 ~ р ~~ ф .~ф ~.~,~,й Ы ~, ~ ~ф.- ~.~=ф'"~.~

/ Ьк 9 с~"О ~~~ус ~-. С ~ ж О~~ ИФ 4Р,сг~- ' . < ~+1~-

/ р Ф' /

~~ ~~ уху~ ~с„,~ вЂ” д у,4Ф ~ вЂ” С*~Я ' ~~ вЂ”;. /+И Р-~~=Ф Д.l м~~ ',КйУ, ~Ж=~ 4

.гФ К;:~ -й ~

/ ~ /~2~

ЯК~ ~'с'~,М '~~р ~Й: ~= у~ +р~ ( ~ „.,ф Л ~; ь |Ь вЂ” й', ~ ~ ~ ~ Г у~7Кю Г~~~

~ф~Ф~ ': Г:~

„~, . +~~;вЂ”.«~ ~ / ~ ~С ' Й. 1.ба.~+~. Г.~ Лй.с~ Ф ~~Я ~~"й С С~ 1ЖС ' .ФОЫ Л ~~ +- ~,<Ю ~Юф

.~~ - ~-~"'~ ЯИ - ~м юсХ. м~ н~мсуул ~л.~ ~ 3- с~ «ем~ им . '~ Я ~ау- ~~р~ у, КЮО~ .: 6~~.вЂ” И;Ф- ~у» / ~Ш:,, ~„~ р„ц„., ~ фФ~. ~.( ~~ИВЫ~. ри~имсс,: ~и~ .е~.~~~: /'

д й~ К~~~~- ~и~ ай- .еы х~ +р~ вЂ” г~,,р иа4- ~ Ф' ' "' СЮбФ» - йЛ. ы; ду и~у '. д,~ . ~ ~~,уе., у~ кЮ~'~ /.~фЙ ~ рц.и и й ~ ~~м ~Р~~ - ~ ~/ И ~фсСИ К у/ '~7ЪР: ~~',у': уу~

~+~- '"' . ~~' ~ ~~~ ' . Я.'-л"'.. ~~ мл у е Ю~ вЂ” Р в ~ ~~ вЂ” '~ ~~у~аФ ~и~~л1 им,фут

~д ~,у.~ ~ ~~ ~,г~ . ~~-~р ~ ~ ~ ~, ~~. ~,~ ~, у~

~8 ~е.

//

с4Ф ~фй~аи ~ щь ~ЮФ~~~~е. ) „4(.6~ ~~;6И С ~М'Я . ~,~р„ ~~~~ю иск . 4 фь~у

~ -/ ~ (ад»' 4-Жй ~ ' у ~~' у~р~„

О~ вЂ” ~ а .~да.К ~у~~~,~

, ' «'""К': ~~' "-~~~~~'~- / 4~ Й, %/,усы ос~.ы~д' ~й вЂ” ~о. ~~/ 8 дпс~р се уД . р.~р~~ „:р

йМ~ФЙ~ /' ~ ' ~,~им~ с„' Д

'"Ф~ ~ ' ~ ~ ~' фЯ ~~ ~~.~~К-»- м.,~

С ~ф ', '~~~ сС ~ . ~ ~~~~д~~ /~ .у~„.~~„

+,"~ - У "~ "'-~ - '~-~' ~ й;к~ .иФ-" = ~ ~ ~~~ д «~~Сл ~',4 ~' - .:Й -:,4Я вЂ” Н-~Сэр о суд',, :- М ~46,ЛАА:," р~угр~у ,аЪ '~~-,~~г~~~юТ Ф

ф вЂ” м~ -ч~. у . Ф -ау г-

~ф» ~ '~~ АХЙ~Я~ '~: ~ ~~ вЂ” М АЮр м х-~~с.-~'-',

,Р ~~~: ' ~а» 'а~ К -. ~», к~' ы'. ал ~ - р

Распознанный текст из изображения:

~р,, ~~„~ . « ~-е~

с ~

Е вЂ” у:м~ . ~.~сХ-с~.~

Д ~уФ. ~-. Ю:~.,~а у[, ' .ф~и-, .е7 ~~Г.:~Ь~~:. рф~~'. ~~вЂ” р~~.~,у,~::вЂ” И--~ Ф~~М.~у й' И'~ -~ у~.е~~ И ' ~~ - ~..-Г ге,око уУ- р~~.,~р.': ~ а~-,Ь~ уъюсж~юе у .~ ° д,~ф

~б~. ~й.:7Р ИФС<Р ~~) . ф~~фу~,,(

l~ м.~ус~ю~~ж~Г у~~",с.ррл.г Г - -~ АжФ~~.РЯ' ~р~х ми ь аылю ф 1.: . Р. ~ ~~.жг.-Ф~,: ~Т. ~у~ -~

~р ~' Й~„.уу,л~ у. Г Йе.с~'," а .г с жми~ ~~ у'

,у~а~Я~ и6 дыр .'Г ис, -ръ ~, ~ ~ Ф~~~~

~

~Е р - ~с иИ~ .ж.сЫ ~Сф~ а Рг И а Е„, о' 4И. Ф~с/

а4 вЂ” .и и ф . и.~,.ц.~~~с -,с ~ ~ ~~ ръ~ .,ыг,

~иихф'..Б ! уЪ~Д КО, . Ы ~~ ~Й6- М7 о~" ',~бФ~1- ~М'

~~ г,~,' р,~ к~К~, -/-. Г,,~, ° г- г

упа мкб ' и 4~46 ря- М~~. ~,'й, ~ ~/ Х~ д~ ~~- ~; ~ - К

~,иу ' а ~~ ~у ~~ л- си.с~:

~

х~ у Ф,,всю~ Ы~:, у~~~м.Р „,,~~- .~ ~ 4р ~с~;=.

~Л „дА(?)~ ~ ~ /~ф 8-М ~ДМ ~~.~у.~.~- рФ ф.,Л "Н- О . вЂ”.,вафд -ф ~~ф~~~М- -~ х., у ~?М ф~ ~,~,~л,„ыЩл 'М~4' И

/

Ю Г /~ Р ~б,~,~~. ~*,6Ы~7ФйУ.Р 3 5

~'.Р

Я фри,Яф~ ~.~ .ф,» .вЂ” ~ М"- у ~~~.)РСИ ~ ~,Ф6 Фз~-с..~М~

м,ир .;~~.'ары~ '. /4 мх ~ у ..„~ с~;.. ~

®1-« ~~;,~

~ вЂ” $~ вЂ” '-~- (~(Ф~-~/~/-ф

йв -р~ ~ -д ~~дд ~: .ссасс,~сжк ~лл:,.~~, р~ вЂ” и.с:"

вЂ” вЂ” /,=Х 3

~

~-~ Р

~

Р~~,4 ~~ .а А ~и р,Г м,

/.

~~ ~с"-

~~ «Р~

Я ~.Ю~.~л.Ю ~6 баб~~. ~Й;„= П-'р '- ~.а~р,Ф ф~ р~ ' Д',дс-~ и р, Р фыр ~~~.~~~ «,-/,~,6:и~-ж/

~,~й~с.с.~ Я ~-У-6.(л ~ .

ф ~у.~-~ ю~~.+ вЂ” ~-" ф~~~~с,~ ~

ф~~ '.~ига й,сь.и~ ~р.» . Бк '~с ~смею, Р,~,:А," ~се-~ ~~ - ~-Р~ ~~~' вЂ” ~ ~~ ~ - ~ ~'- l ~ /' ~~С~~ глл =~ ~Хутуа- г ~, ' ~;;С+~ ~СФКуЦРФ.

"Жом вЂ” рФ юнас 8 р~Сау ~' рх~'и ..-ю вЂ” е~~- ~

/ ~. вЂ” ф ру~ и~,а:

! l~й4-' 4ф.~С ~Ц М . ~/сЛ вЂ” ~ У ' 1 ~~,~ l Жас ~"~-с.:вЂ” ЙЪ И,ТЦ4~ ~ ~ Д ~,,» к~'р~ ~~д~Я $~~: ~ . Д~~~

~:сМ ~~ ф~ ~.~.~~.~.-.~ЖОМ"'Х ~-'ф ГЛ '~ .'Ш Мф'Ф~ вЂ” .~

д .~ М' ~~Э ~, Ф ~Э с~С2 . ', О~ . Ш.'.~Ю У~Ф. ртФ ~ ~А 5 . ~4ЬЖ ~А~-~ ~ ~~Фт с~.~л ж7Ъ~,~"

у

О ~ 1АЙ~- 1ЯФ1: Фф. Я у~' - ' ' М~ МЫФ сФ ~~ Я - ~~ с м~.нО/а . ~

с~~г', С~ ~-Ы~~~Й~~"~~~~~6К ~-И2~А.1 / ~Й-~~~ вЂ” И Е ' ~~ ~~Ф - ~БГ~';4 /' ф4» ,Й ~'й

~~~/ Г Р~ДО~~ Ю . ' ~~фИЮР~Ц. ~.с ~,СФ~-6фС 6ФО К $ф~'ШМ~ вЂ” РМ

~г7с~~,~ мыл~ . ° с 4 -п~. ь' ~р~ ~, м.

~

,4: р - ~~,

) ЕЯ~ ~~~д:,'~9 ' ~' ф~ 'l'6 Ер -~:.~ .)

Я~ вЂ” ~ ~~::: ~ М' )~/~. у,.мл~ОФф~Ф~, ~ ~ ~~же:М,~

~~4~"К4-~ ~ Й: рьх~ . 'ь вЂ” О: ~~В .. „.ы'а с~г-...::

~и. '+~', ькйж

щд /- ~~В ы: ' /

,/ ~, ' / А~." --/

Распознанный текст из изображения:

~~$ ~фА7С ф

С~ ~' = Рой ~й ~ ~

' ~6,-~, ",;- оК.. СФ - ' -7 ~ ~ дФиФт-6' ~

~ ~~ ~~~" ~~„' /-~~~.М.~ ~„~ ~.~!-~,

ф ~ "~~/ Р~~., ф%"-%'ф ~~ф~"'М,'~' '.~Щ~. ~~~~ ",'С: .у~ ~."' Ф . "" Б~...Ф.у У / ~ ~: й'М ~~~ рР' '.фй РЕ ~.~М~М~ ~"/ „~.ий ф~~ ~ШвЂ”

l

у~~~цсДг,,ф~~уу~~ ~.д~ т . + и . г- сл ф ~ ~о ~

,~~а,б Ы Ж ~Х~ - А/ ~ М й 4.с<' Щ~у,~~, файф~~"/~у ~ф~ ~~ ~9 ~ р ~~ ф .~ф ~.~,~,й Ы ~, ~ ~ф.- ~.~=ф'"~.~

/ Ьк 9 с~"О ~~~ус ~-. С ~ ж О~~ ИФ 4Р,сг~- ' . < ~+1~-

/ р Ф' /

~~ ~~ уху~ ~с„,~ вЂ” д у,4Ф ~ вЂ” С*~Я ' ~~ вЂ”;. /+И Р-~~=Ф Д.l м~~ ',КйУ, ~Ж=~ 4

.гФ К;:~ -й ~

/ ~ /~2~

ЯК~ ~'с'~,М '~~р ~Й: ~= у~ +р~ ( ~ „.,ф Л ~; ь |Ь вЂ” й', ~ ~ ~ ~ Г у~7Кю Г~~~

~ф~Ф~ ': Г:~

„~, . +~~;вЂ”.«~ ~ / ~ ~С ' Й. 1.ба.~+~. Г.~ Лй.с~ Ф ~~Я ~~"й С С~ 1ЖС ' .ФОЫ Л ~~ +- ~,<Ю ~Юф

.~~ - ~-~"'~ ЯИ - ~м юсХ. м~ н~мсуул ~л.~ ~ 3- с~ «ем~ им . '~ Я ~ау- ~~р~ у, КЮО~ .: 6~~.вЂ” И;Ф- ~у» / ~Ш:,, ~„~ р„ц„., ~ фФ~. ~.( ~~ИВЫ~. ри~имсс,: ~и~ .е~.~~~: /'

д й~ К~~~~- ~и~ ай- .еы х~ +р~ вЂ” г~,,р иа4- ~ Ф' ' "' СЮбФ» - йЛ. ы; ду и~у '. д,~ . ~ ~~,уе., у~ кЮ~'~ /.~фЙ ~ рц.и и й ~ ~~м ~Р~~ - ~ ~/ И ~фсСИ К у/ '~7ЪР: ~~',у': уу~

~+~- '"' . ~~' ~ ~~~ ' . Я.'-л"'.. ~~ мл у е Ю~ вЂ” Р в ~ ~~ вЂ” '~ ~~у~аФ ~и~~л1 им,фут

~д ~,у.~ ~ ~~ ~,г~ . ~~-~р ~ ~ ~ ~, ~~. ~,~ ~, у~

~8 ~е.

//

с4Ф ~фй~аи ~ щь ~ЮФ~~~~е. ) „4(.6~ ~~;6И С ~М'Я . ~,~р„ ~~~~ю иск . 4 фь~у

~ -/ ~ (ад»' 4-Жй ~ ' у ~~' у~р~„

О~ вЂ” ~ а .~да.К ~у~~~,~

, ' «'""К': ~~' "-~~~~~'~- / 4~ Й, %/,усы ос~.ы~д' ~й вЂ” ~о. ~~/ 8 дпс~р се уД . р.~р~~ „:р

йМ~ФЙ~ /' ~ ' ~,~им~ с„' Д

'"Ф~ ~ ' ~ ~ ~' фЯ ~~ ~~.~~К-»- м.,~

С ~ф ', '~~~ сС ~ . ~ ~~~~д~~ /~ .у~„.~~„

+,"~ - У "~ "'-~ - '~-~' ~ й;к~ .иФ-" = ~ ~ ~~~ д «~~Сл ~',4 ~' - .:Й -:,4Я вЂ” Н-~Сэр о суд',, :- М ~46,ЛАА:," р~угр~у ,аЪ '~~-,~~г~~~юТ Ф